Transistor : N-Mosfet Unipolaire 0,85A 30V 500mW SOT23 BSH103.215 N Kanal

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Transistor : N-MOSFET unipolaire 0,85 A 30 V 500 mW SOT23 BSH103.215 Transistor à canal N

Spécifications techniques

Fabricant: NEXPERIA Type d'emballage : B Type d'emballage : Rouleau Dissipation de puissance : 500 mW Charge de porte : 2,1 nC Polarisation : unipolaire Courant de vidange : 0,85 A Type de canal : fort Tension drain-source : 30 V Type de transistor : N-MOSFET Logement : SOT23 Résistance en ligne : 600mΩ Tension porte-source : 8 V Montage : CMS

  Transistor : N-MOSFET unipolaire 0,85 A 30 V 500 mW SOT23 BSH103.215 Transistor à canal N
Marke unbekannt
Gehäuse SOT23
Polarisierung unipolar
Hersteller NEXPERIA
Montage SMD
Drain-Source Spannung 30V
Gate-Source Spannung 8V
Widerst im Leitungszust 600mΩ
Kanal-Art stark
Gate-Ladung 2.1nC
Herstellernummer BSH103.215
Transistor-Typ N-MOSFET
Verpackungs-Art Rolle
Drainstrom 0.85A
Verlustleistung 500mW
Produktart N-Kanal-Transistoren SMD
  • Condition: Neuf
  • Taille De Paquet-: 5 pièces / Emballage
  • Marque: unbekannt
  • Matière du boîtier: SOT23
  • polarisation: unipolaire
  • Constructeur: NEXPERIA
  • Montage: CMS
  • tension drain-source: 30V
  • tension grille-source: 8V
  • État de la résistance en ligne: 600mΩ
  • Art de la chaîne: Puissant
  • frais de porte: 2.1nC
  • Numéro de pièce fabricant: BSH103.215
  • Type de Transistor: MOSFET N
  • type d'emballage: Rouleau
  • courant de drain: 0.85A
  • Perte De Puissance: 500mW
  • Produit, article: transistors à canal N SMD

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